时间：2025/12/26 22:22:47
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SZ1SMB20CAT3G是一款由onsemi（安森美）生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），专为保护敏感电子电路免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等）的影响而设计。该器件采用SMB（DO-214AA）封装，具有较小的外形尺寸，适合在空间受限的应用中使用。SZ1SMB20CAT3G属于双向TVS二极管，意味着它能够在正负两个方向上对过压事件进行钳位，适用于交流信号线路或可能遭受反向瞬态冲击的直流线路。其标称击穿电压为22.2V，最大反向工作电压为18V，能够承受高达600W的峰值脉冲功率（依据IEC 61000-4-2标准）。该器件在制造过程中符合RoHS环保要求，并采用无卤素材料，适用于现代绿色电子产品设计。由于其快速响应时间（通常小于1ps），SZ1SMB20CAT3G能够在瞬态电压上升初期迅速导通，将多余能量引导至地，从而有效保护下游集成电路（IC）、微控制器、数据接口等关键组件。该TVS二极管广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域，作为系统级浪涌保护方案的重要组成部分。
类型：双向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
通道数：单通道
反向工作电压（VRWM）：18V
击穿电压（VBR）：最小22.2V，典型值23.5V，最大24.9V
测试电流（IT）：1mA
最大钳位电压（VC）：32.2V（在IPP = 18.6A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：18.6A
峰值脉冲功率（PPPM）：600W（10/1000μs波形）
漏电流（IR）：最大5μA（在VRWM = 18V时）
响应时间：小于1ps
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
SZ1SMB20CAT3G具备优异的瞬态电压抑制能力，其核心特性之一是双向电压保护功能，使其能够应对正负极性瞬态事件，特别适用于交流电源线、H桥驱动电路或双极性信号路径中。这种双向结构由两个背靠背连接的雪崩二极管组成，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，几乎不消耗系统功率；当瞬态电压超过击穿阈值时，器件迅速进入低阻抗导通状态，将瞬态电流分流至地，从而将电压钳制在安全范围内，防止后级电路受损。该TVS二极管的响应时间极短，通常在皮秒级别，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管，因此能在ESD事件（如人体模型HBM达±30kV）发生后的纳秒内完成电压钳位，确保敏感半导体器件不受损伤。其600W的峰值脉冲功率处理能力符合国际电磁兼容（EMC）标准，例如IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变脉冲群EFT）和IEC 61000-4-5（浪涌），可用于构建符合工业等级防护要求的系统。此外，该器件采用可靠的硅芯片工艺制造，具有稳定的电气特性和良好的重复性，即使在多次浪涌冲击后仍能保持性能不变。SMB封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，有助于在大电流瞬态期间散热。该TVS二极管的低漏电流特性（典型值小于1μA）确保在待机或低功耗模式下不会对系统造成额外负担，适用于电池供电设备。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，包括高温工业环境或低温户外设备。整体而言，SZ1SMB20CAT3G是一款高性能、高可靠性的瞬态保护解决方案，兼顾了响应速度、功率容量与环境适应性。
SZ1SMB20CAT3G常用于需要中等功率浪涌保护的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的I/O接口保护，例如PLC输入输出端口、传感器信号线等，防止因继电器开关或电机启停引起的电压尖峰。在消费类电子产品中，可用于USB端口、音频接口、电源适配器输入端的ESD和浪涌防护。通信设备如路由器、交换机的数据线和电源线也常采用此类TVS二极管来提升系统的电磁兼容性。此外，在汽车电子领域，尽管其主要用于非直接车载动力系统，但仍可应用于车身控制模块、车内信息娱乐系统或辅助电源电路中，提供一定程度的电气 transient 保护。由于其双向特性，特别适合用于交流耦合信号路径或可能发生反向电压瞬态的场合。在电源管理单元中，它可以作为次级侧的补充保护元件，与主保护器件协同工作，提高整体系统的鲁棒性。该器件还可用于医疗设备、测试仪器和便携式电子设备中，确保在复杂电磁环境中长期稳定运行。通过合理布局PCB走线并配合适当的接地设计，SZ1SMB20CAT3G能够充分发挥其保护效能，显著降低因瞬态干扰导致的设备故障率。
SMBJ20CA,SMDA20C,TPSMA20CA
