类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　工作电压：6.3V
　　击穿电压：6.8V
　　最大钳位电压：11.2V
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：15A
　　最大反向漏电流：10μA
　　响应时间：<1ps
　　封装类型：SOD-882
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

SXE6.3VB68RM4X11LL 具有多个关键特性，使其成为高性能过电压保护的理想选择。
　　首先，该器件具有低钳位电压，确保在发生瞬态过电压时能够迅速将电压限制在安全范围内，从而保护下游电路不受损坏。其最大钳位电压为 11.2V，能够在不损害敏感元件的情况下有效吸收高能量瞬态脉冲。
　　其次，SXE6.3VB68RM4X11LL 采用先进的硅雪崩技术，响应时间极短，通常小于 1 皮秒（ps），使其能够应对快速上升的瞬态电压事件，如静电放电（ESD）和感应雷击。这种快速响应能力对于保护高速数据线和电源线路尤为重要。
　　此外，该 TVS 二极管具有高达 15A 的峰值脉冲电流（IPP）能力，能够在短时间内吸收大量能量，确保在极端瞬态条件下仍能提供可靠的保护。同时，其反向漏电流极低（最大为 10μA），在正常工作条件下对电路的影响非常小，有助于提高整体系统的能效。
　　该器件采用 SOD-882 封装，是一种小型化的表面贴装封装，适用于自动贴片工艺，便于在 PCB 上进行高密度布局。SXE6.3VB68RM4X11LL 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用，确保在各种环境条件下都能稳定工作。
　　最后，SXE6.3VB68RM4X11LL 符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合现代电子制造对无铅和环保的要求。

SXE6.3VB68RM4X11LL 主要用于需要高效过电压保护的各种电子设备中。其典型应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的 ESD 保护，特别是在 USB、HDMI 和其他高速数据接口上。此外，该器件也广泛应用于工业控制系统、通信设备、汽车电子模块以及电源管理系统中，用于保护微处理器、存储器和其他敏感集成电路免受瞬态电压的损害。由于其低钳位电压和快速响应时间，SXE6.3VB68RM4X11LL 特别适用于保护低电压、高精度的模拟和数字电路，确保系统在恶劣电磁环境中依然稳定运行。

SXE6.3VB68RM4X11LL 的替代型号包括：SXE6.0VB68RM4X11LL、SXE6.8VB68RM4X11LL、SXE5.0VB68RM4X11LL