时间：2025/5/7 18:24:01
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IPB055N03LG 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效能开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高频开关的应用场景。
IPB055N03LG 的封装形式为 TO-Leadless（TOLL），这是一种无引脚封装，有助于提高散热性能和减少寄生电感，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：54A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：78nC（典型值）
反向恢复时间：9ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
3. TRENCHSTOP? 技术提供出色的鲁棒性和可靠性。
4. 高雪崩能量能力，增强在异常条件下的保护性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 采用 TOLL 封装，具备优良的热性能和电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC 转换器中的同步整流管或主开关管。
4. 工业控制设备中的功率开关。
5. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助电源模块。
6. 各类高效能功率转换电路。
IPP050N03L
IPA050N03L
IPW055N03L
