电容值：220 pF
　　容差：±5%
　　额定电压：1000 VDC
　　温度系数：NPO（C0G）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812（4.5 mm x 3.2 mm）
　　介质材料：陶瓷（Class I）
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　泄漏电流：≤ 0.01 CV 或 5 μA（取较小者）

SMV1702-999 的一大优势在于其采用 Class I 陶瓷介质（NPO/C0G），具有极高的电容稳定性，尤其是在温度变化较大的环境下，电容值几乎不会发生偏移。该电容器的容差为 ±5%，适用于对精度要求较高的电路中。其额定电压高达 1000 VDC，使其适用于高电压环境，如电源滤波、高压传感等。
　　此外，该电容器具备优异的高频特性，能够在高频电路中保持稳定的阻抗表现，适用于射频（RF）电路和高速数字电路。其封装尺寸为 1812（4.5 mm x 3.2 mm），适合表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产和装配。
　　在可靠性方面，SMV1702-999 经过严格测试，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，并具备出色的抗湿性和抗热冲击能力，适用于恶劣环境下的长期稳定运行。

SMV1702-999 广泛应用于多种高可靠性电子系统中。在电源管理电路中，它常用于输入/输出滤波电容，用于降低高频噪声并提高电源稳定性。在高压传感器和测量设备中，由于其高精度和低温度漂移特性，该电容器可用于信号调理电路中的耦合和去耦应用。
　　此外，该电容器适用于射频（RF）电路，如匹配网络和滤波器设计，能够在高频环境下提供稳定的电容值。在工业控制系统中，SMV1702-999 可用于保护电路，防止电压突变对敏感器件造成损害。医疗设备和测试仪器也常采用该型号电容器，以确保信号的准确性和系统的长期可靠性。
　　航空航天和汽车电子等对元器件要求极为严苛的领域，也广泛采用 SMV1702-999，以满足高温、高压和高振动环境下的稳定运行需求。

TDK C0805C221J1GACTU, KEMET C2220C221J1G5TA