时间：2025/7/3 12:40:26
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CDR31BP240BFZRAT是一款高性能的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而提高效率并减少能量损耗。
该型号属于东芝（Toshiba）的CDR系列功率MOSFET产品线，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）以及各类工业控制设备中。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：16A
导通电阻：1.7Ω
栅极电荷：35nC
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
CDR31BP240BFZRAT具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：高达900V的最大漏源电压使其适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为1.7Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：通过优化的栅极设计，减少了开关时间，提高了整体效率。
4. 耐热性优异：支持的工作结温范围从-55℃到175℃，确保在极端温度条件下的稳定性。
5. 可靠性高：采用坚固的设计结构，具备出色的抗雪崩能力和ESD保护功能。
6. 封装可靠：TO-247封装提供了良好的散热性能和电气连接可靠性。
CDR31BP240BFZRAT的主要应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能DC-DC转换器和AC-DC适配器。
2. 电机驱动：为工业电机和家用电器中的无刷直流电机提供驱动支持。
3. 逆变器：应用于太阳能逆变器和其他电力转换系统。
4. 不间断电源（UPS）：提供可靠的电源备份解决方案。
5. 工业自动化：用于各种工业控制设备和仪器仪表。
CDR31BP200BFZRAT, CDR31BP250BFZRAT
