型号：STD3NM50
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：3A
　　导通电阻(Rds(on))：约2.5Ω
　　最大功率耗散(Pd)：40W
　　封装类型：TO-220
　　型号：FQD3N68C
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：3.3A
　　导通电阻(Rds(on))：约2.3Ω
　　最大功率耗散(Pd)：50W
　　封装类型：TO-220

STD3NM50是一款中高功率的N沟道MOSFET，适用于高电压应用，例如开关电源、LED照明驱动器和电机控制电路。该器件的导通电阻较低，能够在高电压条件下提供较高的电流处理能力，从而减少功率损耗。此外，该器件具有良好的热稳定性和耐久性，能够在较高环境温度下稳定工作。其TO-220封装形式便于散热，并支持多种安装方式，适用于多种工业和消费类电子设备。
　　FQD3N68C是一款高压N沟道MOSFET，具有更高的漏源击穿电压（650V），适用于需要更高电压耐受能力的电源转换器、DC-AC逆变器以及工业控制设备。其导通电阻相对较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具有较强的抗雪崩能力和良好的短路保护性能，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。TO-220封装设计也有助于良好的散热性能，适用于紧凑型电源设计。

STD3NM50广泛应用于中高压电源系统，如AC-DC适配器、LED照明驱动、电机控制、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率开关。由于其耐高压和中等电流能力，适用于对效率和可靠性有一定要求的中低功率转换系统。
　　FQD3N68C则更多用于高电压、中等功率的电力电子系统，例如光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备、工业电源和高电压DC-DC转换器。其高耐压特性和良好的导通性能使其在高输入电压环境下依然能保持较高的转换效率和稳定性。

STD3NM50的替代型号包括STF3NM50、FQP3N50C；FQD3N68C的替代型号包括FQP3N68C、STF3N68K5