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K4H560838E-GCCC0 发布时间 时间:2025/7/29 18:45:32 查看 阅读:3

K4H560838E-GCCC0 是由三星(Samsung)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用先进的CMOS技术制造,具备较高的性能和可靠性,广泛应用于计算机、工业设备和嵌入式系统等领域。该芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类型,支持高速数据存取,适合需要快速数据处理的应用场景。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  数据宽度:8位
  电压:2.3V - 3.6V
  封装:TSOP
  工作温度:-40°C ~ +85°C

特性

K4H560838E-GCCC0 采用了先进的CMOS工艺,具有低功耗和高稳定性的特点。
  其256MB的存储容量,8位数据宽度的设计,使其适用于多种需要高效存储的系统。
  工作电压范围为2.3V到3.6V,这使得芯片可以灵活地应用于不同电源条件的设备中。
  采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,具有较小的封装尺寸,节省空间,适合高密度电路设计。
  其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其在工业级应用中表现优异,能够在恶劣环境中稳定运行。

应用

这款芯片广泛用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品等需要高性能存储解决方案的场景。
  例如,它可以用于路由器、交换机、智能家电、工业自动化设备等。
  由于其高可靠性和宽温特性,也适合用于户外设备和工业控制系统中。
  此外,K4H560838E-GCCC0 还可用于老式计算机或工控主板的内存扩展,提供稳定的数据存储支持。

替代型号

IS42S16400J-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1041CV33-10ZSXC