时间：2025/4/30 11:13:11
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K4B2G1646C-HCK0是三星（Samsung）生产的一款DDR3 SDRAM存储芯片，广泛应用于计算机、服务器和嵌入式系统中。该型号具有高带宽和低功耗的特点，适合需要高性能内存的应用场景。
这款芯片的容量为2Gb（256Mb x 8），采用FBGA封装形式，引脚数为78球。其工作电压为1.35V或1.5V，支持高速数据传输速率。
类型：DDR3 SDRAM
容量：2Gb (256Mb x 8)
组织方式：8-bank architecture
数据宽度：x8
工作电压：1.35V 或 1.5V
I/O 电压：1.5V
封装形式：FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
引脚数：78球
数据传输速率：1600Mbps
CAS延迟：CL=11
温度范围：0°C 至 85°C
K4B2G1646C-HCK0具有以下显著特性：
1. 高速数据传输能力，能够以1600Mbps的速度运行，满足现代计算设备对性能的需求。
2. 支持1.35V低电压操作模式，有助于降低功耗，提高能效比。
3. 兼容标准的1.5V DDR3系统设计，提供灵活性。
4. 内置自动刷新和自刷新功能，确保数据保存的可靠性。
5. 支持片选（CS#）和时钟停止（CLK STOP）等功能，优化功耗管理。
6. FBGA封装使其具有较小的尺寸和良好的散热性能，适用于紧凑型设计。
K4B2G1646C-HCK0主要用于以下领域：
1. 台式电脑和笔记本电脑的内存模块（DIMM 和 SO-DIMM）。
2. 工业级嵌入式系统，例如医疗设备、网络通信设备和工业控制装置。
3. 服务器和数据中心设备，用于提供大容量、高性能的内存解决方案。
4. 消费类电子产品，如游戏机和高清电视等需要高速数据处理能力的产品。
5. 存储控制器和固态硬盘（SSD）缓存模块，提升数据读写速度。
K4B2G1646D-HYK0, K4B2G1646Q-HYK0
