时间：2025/6/28 22:21:39
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IPD26N06S2L-35 是一款基于硅基技术的 N 沦道场效应晶体管（MOSFET），专为高效率功率转换应用设计。该型号属于英飞凌（Infineon）推出的 OptiMOS 系列，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他功率管理场景。
其封装形式为 SuperSO8，优化了热性能和电气性能，同时具有较高的电流处理能力和较低的寄生电感。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：26A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷（典型值）：29nC
反向恢复电荷（典型值）：11nC
结温范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SuperSO8
IPD26N06S2L-35 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的鲁棒性。
4. SuperSO8 封装提供了出色的散热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
此外，该器件具有较低的反向恢复电荷 (Qrr)，减少了开关过程中的损耗，进一步提升了整体效率。
IPD26N06S2L-35 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 工业自动化设备
5. 通信电源
6. 太阳能逆变器
7. 电动汽车充电桩
这些应用均需要高效、可靠和紧凑的功率半导体解决方案，而 IPD26N06S2L-35 凭借其优异的性能表现能够满足这些需求。
IPB26N06S2L-35, IPP26N06S2L-35
