时间：2025/12/28 11:20:40
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SWPU8040S180MT是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的电力电子应用设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备出色的热稳定性和低导通损耗特性，适用于高温、高压及高频工作环境。SWPU8040S180MT的额定电压为1800V，最大平均正向电流为8A，峰值浪涌电流能力高，能有效应对瞬态过载情况。该器件封装形式为TO-220，便于安装于标准散热器上，广泛应用于工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统、UPS不间断电源以及各类高效率DC-DC和AC-DC转换器中。其无反向恢复电荷的特性显著降低了开关过程中的能量损耗，提高了系统整体效率，并减少了电磁干扰（EMI），简化了滤波电路设计。此外，该产品符合RoHS环保要求，适合现代绿色能源系统的使用需求。
型号：SWPU8040S180MT
类型：碳化硅肖特基二极管
封装：TO-220
额定电压：1800V
平均正向电流：8A
峰值浪涌电流：160A
工作结温范围：-55℃ ~ +175℃
热阻：1.5℃/W
反向漏电流：≤ 1mA（典型值）
正向压降：2.05V @ 8A
反向恢复时间：0ns
安装类型：通孔
SWPU8040S180MT的核心优势在于其采用第三代半导体材料——碳化硅（SiC）制造而成，这使其在电气性能和热管理方面远超传统硅基二极管。首先，由于碳化硅材料具有宽禁带特性，该器件在高温环境下仍能保持极低的反向漏电流和稳定的电气参数，确保系统在恶劣工况下的可靠性。其次，作为肖特基势垒二极管，它不具备PN结的少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr = 0），从根本上消除了开关过程中的反向恢复损耗和电压尖峰问题，这对于高频软开关拓扑如LLC谐振变换器尤为重要。
该器件的正向导通压降（VF）在8A条件下仅为2.05V左右，虽然略高于部分硅快恢复二极管，但其在高频应用中带来的总损耗降低更为显著。同时，由于其零反向恢复特性，可以大幅减少与之配合的开关管（如MOSFET或IGBT）的关断应力，提升主开关器件的可靠性和寿命。此外，SWPU8040S180MT具备优异的热传导性能，TO-220封装结合1.5℃/W的低热阻设计，使得热量能够高效传递至外部散热系统，支持长时间满负荷运行。
在抗浪涌能力方面，该器件可承受高达160A的单次半正弦波浪涌电流，表现出良好的瞬态耐受能力，适用于电网波动较大或启动冲击较强的场景。其工作结温范围达到-55℃至+175℃，覆盖了绝大多数工业级和部分汽车级应用需求。由于无需额外的吸收电路或复杂的驱动保护，使用该器件可简化电路设计、减小体积并提高功率密度，特别适合追求小型化和高效率的现代电源系统。
SWPU8040S180MT广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在光伏逆变器领域，常用于直流侧升压电路中的续流二极管或能量回馈路径，利用其高频低损特性提升整机转换效率。在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，该器件可用于PFC（功率因数校正）级的升压二极管，实现高效率能量转换。在工业开关电源（SMPS）中，特别是在大功率通信电源、服务器电源和激光电源中，SWPU8040S180MT凭借其快速响应和低损耗表现，成为理想的整流和续流元件。此外，在不间断电源（UPS）系统中，该器件可用于逆变输出整流或电池充放电回路，提升系统动态响应能力和能效水平。在电机驱动器和变频器中，也可作为阻尼二极管或钳位保护元件，提供可靠的电压箝位功能。由于其耐高温和高可靠性的特点，还适用于轨道交通、新能源储能系统等对长期稳定性要求极高的应用场景。
CREE C4D08180A
ON Semiconductor FFSH8UC180DN-F170
Microchip SCT30N180B
Infineon IDW8S180C50
