类型：MOS FET输出光电耦合器
　　封装形式：USOP（超小型薄型封装）
　　通道数：1通道
　　最大负载电压（VDS）：60V
　　连续通态电流（IDON）：650mA（最大）
　　导通电阻（RON）：典型值9Ω，最大12Ω
　　输入正向电流（IF）：5mA（推荐工作条件）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出漏电流（ILEAK）：最大1μA（常温下）
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on Time / Turn-off Time）：典型值3ms / 1ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　LED波长匹配：峰值敏感度在近红外区域，与GaAs LED兼容

G3VM-66M具备优异的电气隔离性能和稳定的开关特性，其核心优势在于采用先进的MOS FET输出结构，实现了极低的导通电阻和高度线性的电流传输能力。该器件在导通状态下呈现出类似半导体开关的特性，能够以非常小的压降传输电流，从而减少功耗并提高系统效率。由于使用了光电耦合技术，输入控制电路与输出负载电路之间实现了完全的电气隔离，有效防止噪声干扰和地环路问题，提升了系统的安全性和抗干扰能力。此外，该器件具有出色的耐压能力和极低的漏电流，在断开状态下能确保负载彻底关闭，适用于高精度模拟信号切换或微弱信号处理场景。
　　G3VM-66M的封装尺寸极为紧凑，USOP封装使其占用PCB面积极小，非常适合空间受限的应用环境，如便携式设备、智能手机周边模块、可穿戴电子产品等。其表面贴装设计便于自动化回流焊工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。该器件还具备良好的热稳定性和长期工作稳定性，在高温环境下仍能保持性能一致性。由于无机械运动部件，不会产生电弧或接触反弹，极大地延长了使用寿命，并可在高振动或频繁开关的工况下稳定运行。
　　另一个重要特性是其支持双向导通能力，意味着它可以用于交流信号或双向直流信号的控制，扩展了应用灵活性。同时，驱动所需的输入电流较低，通常仅需5mA即可可靠触发，可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。整体而言，G3VM-66M是一款高性能、高集成度的光继电器解决方案，广泛应用于需要静音操作、高耐久性和高精度控制的现代电子系统中。

G3VM-66M广泛应用于各类需要小型化、高可靠性和电气隔离的电子控制系统中。常见用途包括工业自动化设备中的信号切换与传感器接口模块，用于替代传统机械继电器以提升系统寿命和稳定性。在测试与测量仪器中，它被用作精密信号路由开关，因其低导通电阻和极小的漏电流可保证测量精度不受影响。在通信设备中，该器件可用于音频/视频信号路径选择、线路切换以及电源管理单元中的负载控制。
　　此外，G3VM-66M也适用于医疗电子设备，如病人监护仪、便携式诊断装置等，这些设备对电气安全和电磁兼容性要求极高，而该器件提供的高隔离电压和无电磁干扰特性恰好满足需求。在消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑和智能家居控制器中，常用于电池管理系统、外设电源开关或音频通道切换等功能模块。
　　由于其支持双向导通和低功耗特性，也被广泛用于数据采集系统、多路复用器、自动增益控制电路以及电池供电的物联网终端设备中。在汽车电子领域，虽然非车规级，但在车载辅助设备或后装市场产品中也有应用实例，如车载信息娱乐系统的信号切换模块。总体来看，G3VM-66M凭借其小型化、高效能和高可靠性，已成为现代电子设计中不可或缺的关键元件之一。

G3VM-61VY\G3VM-41VY\G3VM-61GL