时间：2025/7/23 19:14:32
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ISZ080N10NM6 是一款由英飞凌（Infineon）推出的OptiMOS?系列的功率MOSFET，属于新一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机控制等多种电力电子系统。ISZ080N10NM6采用先进的沟槽技术，结合优化的封装设计，提供极低的导通电阻和出色的热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：8.0mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：34nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PG-HSOF-8（SuperSO8）
最大功耗：74W
短路耐受能力：有
技术：OptiMOS? trench
ISZ080N10NM6 的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)）和快速开关性能，这使得它在高电流和高频应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。该器件采用了英飞凌的OptiMOS?技术，这是一种先进的沟槽型MOSFET结构，能够实现更高的电流密度和更低的热阻。此外，ISZ080N10NM6具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，具备较高的可靠性和耐用性。
其封装形式为SuperSO8，属于表面贴装封装，体积小、重量轻，适合紧凑型设计和自动化生产。SuperSO8封装还具有良好的散热性能，有助于将热量快速从芯片传导出去，提升器件的长期稳定性。
在动态性能方面，ISZ080N10NM6的栅极电荷（Qg）较低，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而减少了开关损耗并提高了系统的工作频率能力。此外，该MOSFET具备一定的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，增强了系统的安全性和抗干扰能力。
该器件还符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
ISZ080N10NM6 适用于多种高功率、高频的电力电子系统，包括但不限于：
? 电源管理模块：如同步降压/升压转换器、DC-DC转换器、负载开关等。
? 电机驱动和控制：用于电动工具、电动车、工业自动化设备中的MOSFET桥式驱动电路。
? 汽车电子：如车载充电器（OBC）、DC-DC变换器、电池管理系统（BMS）等。
? 服务器和通信电源：用于高效率电源模块，以提高能效和降低发热量。
? 太阳能逆变器和储能系统：作为开关元件用于光伏逆变器或储能变流器中。
? 工业自动化设备：如PLC控制、伺服驱动器、UPS不间断电源等。
IPW60R008S7-03, BSC080N10NS5, BSC090N10NS5, FDD8882, SISS888DN
