SW50B3是一款基于硅技术设计的高压MOSFET开关器件,适用于多种电源管理及负载切换场景。该芯片具有高耐压、低导通电阻和快速开关的特点,能够在高频工作条件下保持较低的功率损耗。
SW50B3采用TO-220封装形式,能够承受较高的电流负载,并具备优良的热性能表现。其内置的保护机制使其在实际应用中更加稳定可靠,适合工业控制、汽车电子以及消费类电子产品的电源管理系统。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:3.3A
栅极阈值电压:4V
导通电阻:1.2Ω
功耗:17W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
SW50B3的主要特性包括:
1. 高击穿电压,支持高达600V的工作环境,确保在高压条件下的稳定性。
2. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度,能够适应高频电路的需求。
4. 内置过温保护与短路保护功能,增强了器件的安全性和可靠性。
5. TO-220封装提供良好的散热性能,适合长时间运行的高负载场景。
6. 宽工作温度范围,使其可以应用于极端环境下的电子设备中。
SW50B3广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
2. LED驱动电路中的负载控制。
3. 工业自动化系统中的电机驱动与控制。
4. 汽车电子中的DC/DC转换模块。
5. 消费类电子产品中的电池保护与充电管理电路。
6. 各种需要高压大电流切换的应用场合。
IRF840
FDP5800
STP3NC60Z