时间：2025/4/28 19:33:57
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CS25N10A4 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电源管理应用。其小型化的封装设计使其在空间受限的设计中具有显著优势。
CS25N10A4 的工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源极电压，同时具备出色的热性能和电气特性，确保在各种复杂电路中的稳定运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：0.04Ω
栅极电荷：22nC
总电容：730pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
CS25N10A4 具有以下主要特性：
1. 高效的功率处理能力，能够在高频条件下保持较低的导通损耗。
2. 超低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少功率损耗并提升系统效率。
3. 快速的开关速度，可满足现代电子设备对高速响应的需求。
4. 小型化封装，节省 PCB 空间，便于实现紧凑型设计。
5. 优异的热性能，能够有效降低芯片温升，提高可靠性。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种环境条件下的应用需求。
CS25N10A4 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。
由于其高性能特点，CS25N10A4 在需要高效能、小体积和可靠性的应用场景中表现尤为突出。
IRFZ44N
FDP5580
AO3400
