型号：G4PH40UD
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：400 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：350 pF
　　反向恢复时间（trr）：< 100 ns
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F
　　极性：N-Channel

G4PH40UD具备多项关键特性，使其在同类功率MOSFET中表现突出。首先，其高达400V的漏源击穿电压使其适用于宽范围输入电压的开关电源设计，尤其适合AC-DC转换器中的主开关管应用。例如，在通用输入（85V~265V AC）的离线式电源中，整流后的直流母线电压可达380V以上，G4PH40UD能够在此高压下稳定工作，提供足够的安全裕度。其次，其低至0.85Ω的导通电阻显著降低了导通损耗，有助于提高系统效率并减少发热，这对紧凑型电源设计尤为重要。该器件在Vgs=10V时即可实现完全导通，兼容常见的驱动IC输出电平，简化了栅极驱动电路的设计。
　　另一个重要特性是其优良的开关性能。G4PH40UD具有较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），这意味着在高频开关过程中所需的驱动能量较小，从而降低了驱动损耗并提升了开关速度。这对于工作频率在几十kHz至数百kHz的SMPS应用非常有利，可有效减小磁性元件体积，实现更高功率密度。同时，器件内部集成的快速恢复体二极管具有较短的反向恢复时间（trr < 100ns），减少了在硬开关拓扑中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统的可靠性和EMC性能。
　　热性能方面，G4PH40UD采用TO-220F封装，具有良好的热传导路径，结到壳的热阻（Rth(j-c)）较低，通常在1.5°C/W以下，配合外部散热片可有效将热量散发出去，确保长时间高负载运行下的温度可控。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和高压烘烤（H3TRB）等，保证了在恶劣环境下的长期稳定性。其宽达-55°C至+150°C的工作结温范围也使其适用于工业和户外设备等极端温度环境。

G4PH40UD广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。典型应用场景包括通用开关电源（SMPS），如电视、显示器、PC电源适配器等设备中的主开关管；DC-DC变换器中的功率开关，特别是在升压（Boost）和反激（Flyback）拓扑结构中；逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的桥臂开关；以及电机控制电路，用于中小功率直流或单相交流电机的驱动模块。此外，该器件也可用于电子镇流器、LED恒流驱动电源、充电桩辅助电源单元等领域。
　　在反激式开关电源中，G4PH40UD作为初级侧开关，承受高压直流母线电压并在控制器调节下周期性导通与关断，实现能量从初级向次级的传递。其快速开关能力和低导通电阻有助于提升转换效率，尤其是在轻载和满载条件下均能保持较高能效。在电机驱动应用中，G4PH40UD可用于H桥或半桥拓扑中作为低端或高端开关，结合合适的驱动保护电路，实现对电机转速和方向的精确控制。由于其具备一定的抗雪崩能力，即使在负载突变或短路情况下也能提供一定程度的自我保护，延长系统寿命。
　　在照明电源领域，特别是大功率LED驱动中，G4PH40UD可用于临界导通模式（BCM）或连续导通模式（CCM）的PFC（功率因数校正）升压电路中，帮助提升系统功率因数并降低谐波含量，满足IEC 61000-3-2等电磁兼容标准要求。其稳定的电气特性和长期可靠性使得终端产品在使用寿命和故障率方面更具优势。

STP4NK50ZFP
　　FQP4N40
　　KSE40FD