类型：齐纳二极管
　　极性：单路
　　封装/外壳：SOD-323
　　标称齐纳电压：13V
　　测试电流：200μA
　　最大齐纳阻抗：850Ω
　　最大功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
　　温度系数：+5.5mV/℃（典型）
　　最大漏电流（VR=10V）：1μA

BZT52C13-7-F的电气特性经过优化，能够在微小电流条件下实现稳定的电压调节功能。其在200μA的测试电流下提供13V的标称齐纳电压，这一设计特别适合低功耗应用场景，例如电池供电设备或待机模式下的电压监测电路。该器件的动态阻抗相对较低，在额定工作条件下可控制在850Ω以内，有助于减少输出电压波动并提升稳压精度。同时，得益于先进的半导体制造工艺，该齐纳二极管表现出优异的电压公差控制能力，通常维持在±5%以内，从而减少了外围补偿元件的需求，简化了整体电路设计流程。此外，其正向导通电压约为0.65V至0.7V，允许在双向保护配置中作为钳位元件使用。
　　热性能方面，BZT52C13-7-F的最大连续功率耗散为200mW，配合SOD-323小型封装，可在有限的空间内有效散热。尽管体积小巧，但其能够承受高达150℃的工作结温，展现出良好的高温耐受性，适用于工业环境或密闭空间内的电子模块。器件的温度系数为+5.5mV/℃，表明其齐纳电压随温度升高略有上升，这种温和的正温度特性在某些温度补偿电路中可以被合理利用。反向漏电流在低于击穿电压时保持极低水平（最大1μA @ VR=10V），确保在非导通状态下对系统影响最小化。
　　机械与结构上，SOD-323封装具有两个引脚，采用表面贴装技术（SMT）安装，便于自动化装配和回流焊处理。该封装形式不仅节省PCB面积，还具备较好的机械强度和焊接可靠性。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，虽然不专为汽车主系统设计，但在次级电子模块中仍具备一定的适用性。此外，BZT52C13-7-F具备良好的ESD耐受能力，能承受一定程度的人体模型静电放电冲击，提高了生产过程中的良品率。整体来看，该器件集成了高性能、小尺寸与高可靠性于一体，满足现代电子系统对集成度和效率的严苛需求。

BZT52C13-7-F广泛应用于各类需要精密电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括为传感器、运算放大器或ADC/DAC转换器提供稳定的13V基准电压源，尤其在供电电压略高于所需参考电压的系统中，可通过限流电阻实现简单高效的稳压方案。在电源管理系统中，该器件可用于监控母线电压或实现欠压锁定（UVLO）与过压保护（OVP）功能，当检测到异常电压时触发控制逻辑或切断负载供电。此外，在信号调理电路中，BZT52C13-7-F可作为电平移位元件，将输入信号限制在安全范围内，防止后续电路因过高电压而损坏。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该齐纳二极管常用于接口保护，例如USB端口或音频插孔的瞬态电压抑制，避免外部静电或误接导致芯片损伤。在工业控制系统中，它可用于PLC模块、数据采集单元中的通道隔离与电压钳位设计。由于其低功耗特性，也适合部署在远程传感节点或物联网终端设备中，配合锂电池长期运行而不显著增加能耗。在汽车电子领域，尽管并非全系认证车规型号，但仍可用于车内信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性有一定要求但非关键安全系统的辅助稳压环节。
　　此外，BZT52C13-7-F还可用于构建简单的电压箝位网络或多级稳压结构，与其他齐纳管串联或并联以获得不同的稳压组合。在维修与替换场景中，因其标准化封装和通用参数，常被用作同类功能器件的替代选择。总体而言，其灵活性、可靠性和紧凑性使其成为多种电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

MMBZ5239BLT1G
　　PMBZ5239B,115
　　SZMZ5239B-DIO
　　CZ5239B