时间：2025/7/2 11:30:38
阅读：23
SW25201R5GSB 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换应用。其封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在紧凑型设计中使用。
该 MOSFET 的工作电压范围较广，能够满足多种电路需求。同时，其优异的电气性能使其在消费电子、通信设备和工业控制等领域得到了广泛应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻（典型值）：0.17Ω
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SW25201R5GSB 提供了出色的性能表现，以下是其主要特性：
1. 低导通电阻：有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度：使得该器件非常适合高频开关应用。
3. 小型封装：SOT-23 封装节省了 PCB 空间，适合小型化设计。
4. 宽工作温度范围：能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 静电防护能力：内置 ESD 保护机制，提高了器件的抗干扰能力。
SW25201R5GSB 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统的充放电控制。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的信号切换。
5. LED 驱动电路中的电流调节元件。
6. 各种便携式设备中的电源管理模块。
BS108, SI2302DS, FDN340P
