时间：2025/9/2 6:08:09
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HYMP125S64CP8-S6 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款移动型低功耗DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片。该芯片主要用于便携式电子设备和嵌入式系统中，提供高速数据存取能力，同时保持较低的功耗，适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及其他需要高性能内存的低功耗应用场景。该芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具备较高的集成度和稳定的电气性能。
类型：移动DDR SDRAM
容量：128MB（125Mbit）
数据宽度：16位
电压：1.7V - 3.3V（根据工作模式）
时钟频率：最高可达166MHz（对应数据速率333Mbps）
封装类型：FBGA
引脚数：54球
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册，通常为约8mm x 16mm
HYMP125S64CP8-S6 是一款专为移动设备设计的低功耗存储器，具有多种节能模式以延长设备电池寿命。其核心特点包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），可在设备不使用时显著降低功耗。此外，该芯片支持双倍数据速率（DDR）技术，使数据传输速率提高一倍，从而提升系统性能。其FBGA封装结构提供了良好的热管理和电气性能，确保在高频率下稳定工作。该芯片还具备良好的兼容性，可与多种移动处理器和嵌入式平台配合使用。HYMP125S64CP8-S6 通常用于需要高速缓存和临时数据存储的应用场景，例如图形处理、多媒体播放和操作系统运行。
HYMP125S64CP8-S6 主要应用于便携式电子产品和嵌入式系统中，如智能手机、平板电脑、PDA（个人数字助理）、便携式游戏机、数码相机以及工业控制设备等。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电的设备，而高数据传输速率则有助于提升设备的整体性能。
HYMP125S64CP8-S6的替代型号包括H57V2562GTR和HY5DU12822AFP-6。
