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HYMP125S64CP8-S6 发布时间 时间:2025/9/2 6:08:09 查看 阅读:12

HYMP125S64CP8-S6 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款移动型低功耗DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片。该芯片主要用于便携式电子设备和嵌入式系统中,提供高速数据存取能力,同时保持较低的功耗,适用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及其他需要高性能内存的低功耗应用场景。该芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具备较高的集成度和稳定的电气性能。

参数

类型:移动DDR SDRAM
  容量:128MB(125Mbit)
  数据宽度:16位
  电压:1.7V - 3.3V(根据工作模式)
  时钟频率:最高可达166MHz(对应数据速率333Mbps)
  封装类型:FBGA
  引脚数:54球
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:具体尺寸需参考数据手册,通常为约8mm x 16mm

特性

HYMP125S64CP8-S6 是一款专为移动设备设计的低功耗存储器,具有多种节能模式以延长设备电池寿命。其核心特点包括自动刷新(Auto Refresh)、自刷新(Self Refresh)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),可在设备不使用时显著降低功耗。此外,该芯片支持双倍数据速率(DDR)技术,使数据传输速率提高一倍,从而提升系统性能。其FBGA封装结构提供了良好的热管理和电气性能,确保在高频率下稳定工作。该芯片还具备良好的兼容性,可与多种移动处理器和嵌入式平台配合使用。HYMP125S64CP8-S6 通常用于需要高速缓存和临时数据存储的应用场景,例如图形处理、多媒体播放和操作系统运行。

应用

HYMP125S64CP8-S6 主要应用于便携式电子产品和嵌入式系统中,如智能手机、平板电脑、PDA(个人数字助理)、便携式游戏机、数码相机以及工业控制设备等。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电的设备,而高数据传输速率则有助于提升设备的整体性能。

替代型号

HYMP125S64CP8-S6的替代型号包括H57V2562GTR和HY5DU12822AFP-6。

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