BQ4010MA-200
时间:2022/12/6 14:16:59
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制造商: Texas Instruments
产品种类: NVRAM
数据总线宽度: 8 Bit
存储容量: 64 Kbit
组织: 8 K x 8
封装 / 箱体: DIP-28
接口类型: Parallel
概述
制造商: Texas Instruments
产品种类: NVRAM
数据总线宽度: 8 Bit
存储容量: 64 Kbit
组织: 8 K x 8
封装 / 箱体: DIP-28
接口类型: Parallel
访问时间: 200 ns
电源电压(最大值): 5.5 V
电源电压(最小值): 4.75 V
工作电流: 50 mA
最大工作温度: + 70 C
最小工作温度: 0 C
封装: Tube
工作电源电压: 5 V
类型: NVSRAM
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BQ4010MA-200参数
- 标准包装14
- 类别集成电路 (IC)
- 家庭存储器
- 系列-
- 格式 - 存储器RAM
- 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
- 存储容量64K (8K x 8)
- 速度200ns
- 接口并联
- 电源电压4.75 V ~ 5.5 V
- 工作温度0°C ~ 70°C
- 封装/外壳28-DIP 模块(0.61",15.49mm)
- 供应商设备封装28-DIP 模块(18.42x37.72)
- 包装托盘