时间：2025/8/21 18:15:46
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SI8274AB4D-IS1R 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片，专为驱动高功率MOSFET和IGBT设计。该器件采用Silicon Labs的专利数字隔离技术，提供高达5kVRMS的隔离电压，确保在高电压和高噪声环境下稳定工作。SI8274AB4D-IS1R 适用于电源转换、电机控制、工业自动化和新能源系统等应用。
供电电压：2.5V 至 5.5V
输出驱动电流：±4A（峰值）
输入信号频率范围：1MHz（最大）
隔离电压：5kVRMS（符合UL认证）
传播延迟：110ns（最大）
共模瞬态抗扰度（CMTI）：100kV/μs
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：16引脚 SOIC
SI8274AB4D-IS1R 采用Silicon Labs的数字隔离技术，提供出色的电气隔离性能和抗干扰能力，确保在高噪声和高压环境下稳定运行。
该芯片的双通道设计允许独立控制两个功率开关，适用于半桥、全桥和推挽式拓扑结构。
其宽输入电压范围（2.5V至5.5V）支持多种控制器接口，提高了系统设计的灵活性。
高达±4A的峰值输出电流能力，使其能够高效驱动大功率MOSFET和IGBT，降低开关损耗。
内置的欠压锁定（UVLO）功能可防止在电源电压不足时误操作，提高系统可靠性。
低传播延迟（最大110ns）和出色的匹配性能，有助于实现精确的时序控制，适用于高频开关应用。
其高共模瞬态抗扰度（CMTI）确保在快速电压变化下仍能维持信号完整性，提高系统稳定性。
SI8274AB4D-IS1R 主要用于各种高功率电力电子系统中，如工业电机驱动、伺服控制器、变频器、UPS不间断电源、光伏逆变器和储能系统。
在电机控制领域，该器件可用于驱动三相逆变器中的MOSFET或IGBT，提供快速响应和高效能转换。
在新能源应用中，例如太阳能逆变器和电动车充电系统，SI8274AB4D-IS1R 能够提供可靠的隔离驱动能力，确保系统在高压环境下的安全运行。
此外，它也适用于高可靠性工业自动化设备，如PLC控制模块、伺服驱动器和机器人控制系统。
由于其高集成度和优异的隔离性能，该芯片也被广泛用于需要符合IEC 60950或IEC 61010标准的安全认证的医疗设备和测试仪器中。
Si8275, ADuM4223, UCC21520, HCPL-3120
