时间：2025/8/15 3:16:09
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SVT15100LB 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻、高电流承载能力和高开关效率的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。SVT15100LB采用TO-220AB封装，便于散热并适用于各种工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：150V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220AB
SVT15100LB具备多项优异的电气和热性能特征。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该MOSFET使用先进的沟槽式栅极结构，增强了电流的均匀分布，从而提升了器件的稳定性和可靠性。
此外，该器件具有高电流承载能力，在连续漏极电流条件下可达到100A，适用于高功率密度设计。其250W的额定功耗和良好的热管理特性使其在高负荷工作条件下仍能保持稳定的性能。
SVT15100LB还具备快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。由于其±20V的栅源电压耐受能力，可以兼容多种驱动电路，增强了设计的灵活性。
该MOSFET在工业温度范围内（-55°C至175°C）均可正常工作，适用于严苛环境条件下的应用，如工业控制、汽车电子和可再生能源系统。
SVT15100LB广泛应用于各种高功率电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及电源分配系统。在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中，它常用于车载充电器（OBC）和逆变器模块中，以提高能量转换效率。
此外，该器件也适用于工业自动化设备中的电源管理和电机控制电路。在可再生能源领域，SVT15100LB可用于太阳能逆变器和储能系统，以实现高效的能量转换和管理。
由于其高可靠性和热稳定性，SVT15100LB也被广泛应用于服务器电源、电信基础设施设备以及不间断电源（UPS）等对稳定性和效率有高要求的场合。
STP150N15K5AG, IRFP4468PBF
