型号：SVM7962COG
　　制造商：Silan（士兰微电子）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：120A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：250W（@TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（@VGS=10V, ID=60A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V（典型值3.0V）
　　栅极电荷（Qg）：260nC（@VDS=48V, ID=120A）
　　输入电容（Ciss）：11000pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

SVM7962COG采用高性能沟道MOSFET技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为4.5mΩ，在大电流应用中显著降低了导通损耗，提升了电源转换效率。这一特性使其特别适合用于高电流输出的同步整流电路和大功率DC-DC变换器中，可有效减少发热并提升系统整体能效。
　　该器件具有高达60V的漏源击穿电压，能够满足多数中压功率应用的需求，如电动工具电源、电动车控制器、服务器电源模块等。同时，其最大连续漏极电流可达120A，短时脉冲电流能力达到360A，展现出卓越的过载承受能力和动态响应性能。这使得SVM7962COG在瞬态负载变化或启动冲击电流较大的场合下仍能保持稳定工作。
　　得益于优化的芯片结构设计，SVM7962COG拥有较低的栅极电荷（Qg = 260nC）和米勒电容，从而实现了快速的开关响应速度，减少了开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源尤为重要，有助于提高开关频率、缩小磁性元件体积，并改善电磁兼容性表现。
　　器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，具备出色的热稳定性和长期可靠性，可在恶劣环境温度下持续运行。TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，还提供了良好的散热路径，通过PCB铜箔即可实现高效散热，降低了对额外散热器的依赖，有利于简化系统设计和降低成本。
　　此外，SVM7962COG符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品制造。其高可靠性、高性能和成本优势使其成为许多国产电源方案中的主流选择之一。

SVM7962COG广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要大电流、低损耗和高效率的场合。常见应用包括通信电源模块、服务器电源、笔记本电脑适配器、LED驱动电源以及工业用DC-DC转换器。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件常被用作主开关管或同步整流管，以提高电源的整体转换效率。
　　在电动自行车、电动滑板车及其他轻型电动车的电机控制器中，SVM7962COG也常作为H桥驱动电路中的功率开关元件，用于实现电机的正反转控制和能量回馈制动功能。其快速开关特性和较强的抗浪涌能力，使其在频繁启停和复杂负载变化环境下依然表现稳定。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、逆变电源中的功率级电路、以及太阳能充电控制器等新能源领域。在这些应用中，SVM7962COG不仅能承受较高的工作电流，还能在高温环境下长期可靠运行，保障系统的安全性和稳定性。
　　由于采用TO-252封装，SVM7962COG也适用于需要自动化贴片生产的消费类电子产品生产线，便于实现大规模量产和一致性控制。因此，它在家电变频器、智能电源插座、无人机电源模块等产品中也有广泛应用。

SI7962DP-T1-E3