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2N7002-7 发布时间 时间:2025/12/26 8:46:33 查看 阅读:20

2N7002-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于中小功率开关和信号切换场合。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,是便携式电子设备和消费类电子产品中的理想选择。2N7002-7的命名中,“-7”通常表示其卷带包装规格,适用于自动化贴片生产线。该MOSFET基于成熟的平面技术制造,具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。其主要设计目标是在低电压、低电流应用中提供高效的开关性能,同时保持较低的静态功耗。由于其通用性强、成本低廉且供货稳定,2N7002-7已成为业界广泛采用的标准小信号MOSFET之一,常用于驱动LED、继电器、逻辑电平转换、电源管理模块以及各种数字控制开关电路中。
  该器件的栅极阈值电压较低,使其能够直接由3.3V或5V逻辑信号驱动,无需额外的驱动电路,从而简化系统设计。此外,2N7002-7具备较强的抗静电能力(ESD保护)和良好的导通电阻特性,在同类产品中具有较高的性价比。其封装符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造要求。作为一款成熟且经过市场长期验证的元器件,2N7002-7在工业控制、通信设备、家用电器和嵌入式系统中均有广泛应用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):300mA @ 25°C
  脉冲漏极电流(Idm):1.2A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.5Ω @ Vgs=10V, Id=100mA
  导通电阻(Rds(on)):5.6Ω @ Vgs=4.5V, Id=100mA
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.5V
  输入电容(Ciss):29pF @ Vds=10V
  开启时间(Ton):约15ns
  关断时间(Toff):约25ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2N7002-7的核心特性之一是其优化的导通电阻与驱动电压匹配性。在Vgs=10V时,其典型Rds(on)为4.5Ω,而在更为常见的低电压控制场景如Vgs=4.5V下,Rds(on)也仅为5.6Ω,这使得它能在3.3V甚至2.5V逻辑系统中有效工作。这种低门槛驱动能力极大地扩展了其在现代微控制器接口电路中的适用范围,例如用于GPIO引脚的负载开关或电平转换器。此外,该器件采用了先进的硅晶圆工艺和封装技术,确保了批次间参数的一致性和长期使用的稳定性。其较小的输入电容(Ciss≈29pF)意味着在高频开关应用中具有较低的驱动损耗,有助于提升整体系统效率。
  另一个显著特点是其出色的热性能和可靠性。尽管SOT-23封装体积小巧,但通过优化芯片布局和内部连接结构,2N7002-7能够在有限的散热条件下承受高达300mA的连续漏极电流,并在短时间内承受1.2A的脉冲电流,适用于瞬态负载较大的应用场景。器件的工作结温范围达到-55°C至+150°C,表明其不仅可在常规商业环境中运行,也能适应部分工业级温度条件。此外,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过压耐受性,增强了在异常工况下的鲁棒性。
  从制造角度看,2N7002-7遵循严格的品质控制流程,符合AEC-Q101等汽车级可靠性标准的部分要求(视具体批次而定),并支持无铅回流焊工艺。其ESD防护等级较高,典型HBM模型可达2kV以上,减少了因静电放电导致损坏的风险,提高了生产良率和现场使用寿命。综合来看,这些特性使2N7002-7成为一种兼具高性能、高可靠性和高兼容性的通用型N沟道MOSFET,特别适合对空间、功耗和成本敏感的设计需求。

应用

2N7002-7广泛应用于各类低功率开关和信号控制电路中。在消费类电子产品中,常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的LED背光驱动、LCD偏压开关或传感器使能控制。由于其SOT-23封装尺寸小,非常适合高密度PCB布局,因此在便携式设备电源管理模块中被用作负载开关或电池供电路径控制。在工业控制领域,该器件可用于PLC输入输出模块中的信号隔离与驱动,或作为小型继电器、蜂鸣器、指示灯的开关元件。
  在通信设备中,2N7002-7常用于实现不同电压域之间的逻辑电平转换,例如将3.3V MCU的GPIO信号转换为5V系统可识别的电平,或反之。这种应用依赖于其低阈值电压和良好的开关特性,确保信号传输的快速响应和低延迟。此外,在嵌入式系统和微控制器外围电路中,它也常用于I2C总线缓冲、上拉控制或防止反向电流流动的“理想二极管”配置。
  在电源管理系统中,2N7002-7可用于简单的DC-DC转换器同步整流、电池充电状态检测开关或LDO使能控制。其低静态功耗特性有助于延长电池供电设备的待机时间。同时,由于其价格低廉且供货充足,许多原型设计和小批量项目优先选用该型号进行功能验证。此外,教育实验套件和电子爱好者项目中也普遍使用2N7002-7作为基础开关元件,帮助学习MOSFET的工作原理和基本驱动方法。

替代型号

FDS6670A

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2N7002-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C115mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 50mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2N7002DI2N7002DITR