类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：700V
　　最大漏极电流(ID)：4A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为2.5Ω（具体值可能因批次不同略有变化）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V~4V
　　最大功耗(PD)：50W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装类型：TO-220、TO-252

SVF4N70D 具备一系列优良的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的高漏源击穿电压（700V）使其适用于高压电路，如开关电源、AC/DC转换器等。其最大漏极电流为4A，在合理散热条件下能够支持较高的功率输出。
　　其次，SVF4N70D 采用先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），通常在2.5Ω左右，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极阈值电压在2V~4V之间，适合多种驱动电路设计，包括PWM控制器和微处理器输出。
　　再者，SVF4N70D 的封装形式为TO-220或TO-252，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。同时，其工作温度范围宽（-55℃~150℃），适应性强，能够在恶劣环境中稳定工作。
　　最后，该MOSFET具备较高的抗雪崩能力和良好的热稳定性，能够在过载或短路情况下提供一定的保护作用，从而提升系统的可靠性。

SVF4N70D 主要应用于需要高压和中等功率控制的电路中。
　　最常见的用途之一是开关电源（SMPS）中的功率开关元件。由于其700V的漏源电压和4A的漏极电流，SVF4N70D 适用于反激式、正激式等拓扑结构的电源设计，能够有效提高转换效率并降低功耗。
　　此外，该MOSFET也广泛用于电机驱动和控制电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动器、风扇控制器等。其快速开关特性和良好的热稳定性使其在这些应用中表现出色。
　　在LED照明系统中，SVF4N70D 也可作为主开关或调光控制器件，适用于高功率LED驱动电路。其低导通电阻和良好的热管理能力有助于提升照明系统的整体效率和寿命。
　　其他应用包括电池充电器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。

STP4NK70ZFP, FQP4N70, IRFBC40, 2SK2545