STD60N3LH5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于PowerMOS系列,采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用。其工作电压范围较广,能够承受高达30V的漏源极电压,并且在特定条件下提供极低的导通电阻,从而减少功率损耗。
STD60N3LH5的设计使其特别适合需要高效能和高可靠性的电路环境。此外,它还具备快速开关特性和良好的热稳定性,因此在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压(VDS):30V
连续漏极电流(ID):60A
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(在VGS=10V时)
栅极电荷(Qg):89nC
总功耗(Ptot):75W
结温范围(TJ):-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
STD60N3LH5的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可有效降低功率损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流能力(ID为60A),满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能,支持高频操作,适用于开关电源和DC-DC转换器。
4. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
5. 宽泛的工作电压范围(30V VDS),增强了其在不同应用场景中的适应性。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足现代电子产品的环保要求。
这些特性使STD60N3LH5成为高性能电力电子系统设计的理想选择。
STD60N3LH5广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及适配器设计,用于提高转换效率和减小热量产生。
2. 直流无刷电机驱动电路,实现高效的电流控制和精确的速度调节。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能,例如电磁阀和继电器驱动。
4. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、电池管理系统(BMS)等。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块,包括笔记本电脑适配器、智能手机充电器等。
凭借其出色的性能指标和可靠性,STD60N3LH5在这些应用中表现出色,显著提升了系统的整体性能。
IRFZ44N
STP60NF06
FDP6020