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STD60N3LH5 发布时间 时间:2025/5/26 17:49:54 查看 阅读:12

STD60N3LH5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于PowerMOS系列,采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用。其工作电压范围较广,能够承受高达30V的漏源极电压,并且在特定条件下提供极低的导通电阻,从而减少功率损耗。
  STD60N3LH5的设计使其特别适合需要高效能和高可靠性的电路环境。此外,它还具备快速开关特性和良好的热稳定性,因此在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压(VDS):30V
  连续漏极电流(ID):60A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):89nC
  总功耗(Ptot):75W
  结温范围(TJ):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

STD60N3LH5的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可有效降低功率损耗并提高整体效率。
  2. 高额定电流能力(ID为60A),满足大功率应用需求。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,适用于开关电源和DC-DC转换器。
  4. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
  5. 宽泛的工作电压范围(30V VDS),增强了其在不同应用场景中的适应性。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足现代电子产品的环保要求。
  这些特性使STD60N3LH5成为高性能电力电子系统设计的理想选择。

应用

STD60N3LH5广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及适配器设计,用于提高转换效率和减小热量产生。
  2. 直流无刷电机驱动电路,实现高效的电流控制和精确的速度调节。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能,例如电磁阀和继电器驱动。
  4. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、电池管理系统(BMS)等。
  5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块,包括笔记本电脑适配器、智能手机充电器等。
  凭借其出色的性能指标和可靠性,STD60N3LH5在这些应用中表现出色,显著提升了系统的整体性能。

替代型号

IRFZ44N
  STP60NF06
  FDP6020

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STD60N3LH5参数

  • 其它有关文件STD60N3LH5 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7971-6