类型：齐纳二极管
　　制造商：Nexperia
　　封装类型：SOT-23（TO-236AB）
　　齐纳电压（Vz）：11V（在测试电流条件下）
　　最大齐纳电流（Izmax）：200mA（典型值）
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　引脚数：3
　　极性：单极
　　齐纳电压公差：±2%（BZX84B系列）
　　测试电流（Iz）：5mA

BZX84B11W齐纳二极管在设计上采用了硅半导体材料，具有良好的热稳定性和可靠性。该器件的齐纳电压在额定电流范围内保持恒定，适用于需要精确电压调节的电路。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化装配，适合高密度PCB布局。
　　该器件的温度系数较低，意味着其齐纳电压随温度变化较小，适用于温度变化较大的工作环境。此外，BZX84B11W具有较快的响应时间，能够在发生瞬态过压事件时迅速稳定电压，从而保护后续电路元件不受损坏。
　　齐纳二极管在正向导通状态下表现类似于普通二极管，而在反向击穿状态下则保持稳定的电压。这种特性使其广泛用于电压参考、稳压电源、电压监测和信号电平转换等应用。由于其封装小巧，BZX84B11W也适用于便携式电子设备和消费类电子产品。

BZX84B11W常用于需要11V电压参考或稳压的电路中。典型应用包括：
　　? 电源管理电路中的电压调节
　　? ADC或DAC的参考电压源
　　? 过压保护电路
　　? 电池供电设备中的电压监测
　　? 信号电平转换和限幅电路
　　? 工业控制系统中的基准电压源
　　? 消费电子产品中的稳压电路

BZX84C11LT1G, BZX84B11LT3G, BZX84B11, BZX84-11