SVF4N65MJ 时间：2025/5/10 17:44:37 阅读：5

SVF4N65MJ 是一款 N 沱型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于高电压和高电流的应用场景。其主要特点是具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够在高频开关应用中提供高效的性能表现。
　　SVF4N65MJ 常用于工业电源、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）以及各类开关模式电源（SMPS）中。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：4.1A
　　导通电阻：3.8Ω
　　栅极电荷：39nC
　　总电容：1450pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 150℃
　　封装形式：TO-247

特性

SVF4N65MJ 的关键特性包括以下几点：
　　1. 高耐压能力，能够承受高达 650V 的漏源电压，非常适合高压环境下的应用。
　　2. 低导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动电压下仅为 3.8Ω，有助于减少传导损耗。
　　3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷和输出电荷，确保了高效的工作性能。
　　4. 工作温度范围宽广，支持从 -55℃ 到 150℃ 的极端温度环境。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业对绿色电子元器件的要求。

应用

SVF4N65MJ 广泛应用于多种领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
　　2. 工业电机驱动控制，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。
　　3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　4. 各类电力电子设备中的功率转换模块。
　　5. 电磁阀驱动、继电器控制以及其他需要大电流切换的电路设计。