KTC8550-D-AT/PC 是一款由KEXIN(科信)公司生产的双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该晶体管采用先进的硅外延平面技术,具有良好的高频响应和较高的可靠性。其主要应用于低噪声放大、开关电路以及通用模拟电路中。该器件采用SOT-23(SC-59)封装,适用于表面贴装工艺,广泛用于便携式电子设备、通信模块以及消费类电子产品中。
类型:PNP型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极-基极电压(VCBO):100V
发射极-基极电压(VEBO):5V
集电极电流(IC):100mA
耗散功率(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23(SC-59)
增益(hFE):110-800(分档)
截止频率(fT):100MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):最大0.25V(IC=100mA, IB=5mA)
KTC8550-D-AT/PC晶体管具备优良的电学性能和稳定的工艺特性,适用于多种通用和高频应用场合。
首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压(VCEO)为50V,集电极-基极电压(VCBO)高达100V,具备较高的电压承受能力,适用于中等电压应用场景。
其次,该器件的最大集电极电流为100mA,能够满足多数低功耗放大和开关电路的需求。同时,其额定耗散功率为300mW,在SOT-23封装中具有良好的热稳定性。
此外,KTC8550-D-AT/PC的电流增益(hFE)根据不同的分档可在110至800之间变化,支持设计者根据具体应用选择合适的增益等级,从而优化电路性能。
该晶体管的截止频率(fT)为100MHz,具备良好的高频响应能力,适合用于射频放大、高速开关等场景。
在饱和状态下,其集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))典型值为0.25V,降低了导通损耗,提高了能效。
最后,该器件采用SOT-23封装,体积小、重量轻,便于在高密度PCB布局中使用,同时支持自动贴片工艺,提高了生产效率。
KTC8550-D-AT/PC晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中,特别是在需要低功耗、小体积和高稳定性的场合。
其主要应用包括:1. 低噪声前置放大电路,如音频放大器、传感器信号放大器等;
2. 数字电路中的开关元件,用于控制LED、继电器、小型电机等负载;
3. 高频信号放大与处理,如无线通信模块中的射频放大电路;
4. 电压调节与基准源电路中的辅助晶体管;
5. 消费类电子产品中的通用晶体管,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等设备中的电源管理与信号处理模块。
由于其优良的性能和广泛的适用性,KTC8550-D-AT/PC在电子设计中常被用作替代国际型号如2N3906、BCP56、BCP66等的国产化替代器件,适用于成本敏感和供应链本地化要求较高的项目。
2N3906, BCP56, BCP66, PN2907, KSP8550, KSA1268