SV53CC753KBATR1 是 Vishay Siliconix 生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列产品。该器件包含两个NPN晶体管,设计用于需要高增益、高频响应和低噪声的应用场合。SV53CC753KBATR1 采用小型表面贴装封装(SOT-23),适用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中的信号放大和开关应用。
晶体管类型:双NPN晶体管阵列
集电极-发射极电压(VCEO):25V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗:300mW
增益带宽积(fT):250MHz
电流增益(hFE):110(最小值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
SV53CC753KBATR1 内部集成了两个高性能的NPN晶体管,具有较高的电流增益和频率响应能力,适用于需要高速信号处理的电路设计。其低噪声特性使其在射频和音频放大器中表现出色。此外,该器件的SOT-23封装形式便于在PCB上安装,并节省空间。两个晶体管的电气参数高度匹配,适用于需要对称性要求高的差分放大电路。该器件还具有良好的热稳定性和可靠性,适合在工业和商业环境中使用。
SV53CC753KBATR1 的另一个显著特点是其低饱和压降,这使得在开关应用中可以降低功耗,提高系统效率。此外,该晶体管阵列的制造工艺符合行业标准,具有较高的抗静电能力和长期稳定性。在使用过程中,用户可以根据需要配置为共射、共基或共集电极电路,以满足不同的设计需求。
SV53CC753KBATR1 常用于音频和射频放大器电路中,作为前置放大器或驱动级使用。它也适用于数字开关电路,如逻辑门和缓冲器。在通信系统中,该器件可以用于信号调理和调制解调电路。此外,在传感器接口电路中,SV53CC753KBATR1 可用于信号放大和滤波。由于其双晶体管结构,该器件特别适合用于差分放大电路和推挽式输出结构。在消费电子产品中,该晶体管阵列可用于便携式设备的音频放大模块、无线通信模块以及各种控制电路中。
2SC3946, BC847BS, MMBT5551LT1G