时间：2025/5/8 13:13:04
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FQB14N15是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用QFN3*3-8L封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。其耐压值为150V，能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。
FQB14N15的设计使其在高效能电源管理中表现出色，同时由于其紧凑的封装，非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω
栅极电荷：7nC
总电容：330pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 耐高压能力，额定漏源电压为150V，可适应较高电压环境。
2. 极低的导通电阻（典型值为0.4Ω），降低了传导损耗，提高了效率。
3. 高速开关性能，具备较小的栅极电荷和输出电容，适合高频应用。
4. 小尺寸QFN3*3-8L封装，节省PCB板空间，便于小型化设计。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃到+150℃），保证了在极端环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 消费类电子产品中的负载开关。
4. 工业设备中的信号隔离与保护。
5. LED驱动器中的电流调节元件。
6. 各种电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
FQP14N15,
IRFZ44N,
STP16NF06,
AO3400
