类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：4.3W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：PowerPAK SO-8

VT1189SFQR MOSFET 的核心特性包括其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其沟槽式结构提供了更高的载流能力和更好的热稳定性。该器件的栅极驱动电压范围宽泛，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，使其兼容多种控制电路和驱动器。此外，PowerPAK SO-8 封装具备良好的热管理性能，可在高功率密度应用中有效散热。
　　VT1189SFQR 的快速开关特性使其适用于高频开关电源设计，减少开关损耗的同时提升系统响应速度。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。此外，其低输入电容（Ciss）和门极电荷（Qg）进一步优化了高频应用中的性能表现。
　　在制造工艺上，VT1189SFQR 采用了先进的硅片加工技术，确保了器件在高温和高电流下的稳定工作。其高抗干扰能力和稳定的电气参数使其在汽车电子、工业自动化和消费类电源管理应用中表现出色。

VT1189SFQR 广泛应用于多种电源管理系统中，包括但不限于同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED 驱动电路以及电源管理单元（PMU）。在汽车电子领域，该器件常用于车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块中的高边或低边开关应用。此外，VT1189SFQR 也适用于需要高效率、高可靠性的工业控制设备，如伺服电机控制器、PLC 电源模块以及便携式设备中的电源开关控制。其优异的热性能和紧凑的封装形式使其在空间受限的设计中尤为适用。

Si2302DS, FDS6675, IRF7404, AO4406A, BSC016N04LS