类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为4.5mΩ（典型值为3.8mΩ）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双封装

SV1040-R2-00001 是一款高性能功率MOSFET，其基于先进的TrenchFET技术，能够提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗。这种特性使得该器件在高电流应用中具有出色的能效表现。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统的效率。
　　该器件的封装采用PowerPAK SO-8双封装形式，具有良好的热性能和电气性能。这种封装设计不仅减小了PCB的占用空间，还通过优化的引脚布局降低了寄生电感，从而提升了高频开关性能。这使得SV1040-R2-00001非常适用于高频DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
　　此外，SV1040-R2-00001具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种恶劣工作环境下的稳定性和可靠性。它还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在突发的高电压或高电流情况下保持器件的安全运行。这些特性使得该MOSFET在汽车电子、工业控制和便携式设备等应用中具有很高的适用性。

SV1040-R2-00001 通常用于高性能电源管理系统中，例如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各类功率控制模块。其优异的导通和开关性能也使其成为高效能电源供应器和电源管理IC（PMIC）的理想选择。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和LED照明驱动电路。此外，该MOSFET还广泛应用于服务器电源、笔记本电脑电源适配器、太阳能逆变器和工业自动化设备等领域。

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRF7413, AO4406A