RALD5W-K 时间：2025/9/22 20:31:35 阅读：9

RALD5W-K是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及反向电压保护等应用场景。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为SOD-123FL或类似小型封装），适用于对空间要求较高的便携式电子设备和高密度电路板设计。作为一款高性能的整流二极管，RALD5W-K具备低正向导通电压、快速开关响应和低漏电流等特点，能够有效提升电源系统的转换效率并减少热损耗。其材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造的需求。此外，RALD5W-K在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，因此广泛应用于消费类电子、通信设备、工业控制模块等领域。由于其优异的可靠性与一致性，该型号常被用作关键路径中的整流或隔离元件。

参数

产品类型：肖特基二极管
　　配置：单只
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms, 半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.54V @ 5A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：约60°C/W
　　反向恢复时间（trr）：典型值< 5ns

特性

RALD5W-K的核心特性之一是其采用了先进的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而实现比传统PN结二极管更低的正向导通压降。在5A的工作电流下，其最大VF仅为0.54V，显著降低了导通期间的能量损耗，提高了系统整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长续航时间。同时，低VF意味着更少的热量产生，在连续高负载运行条件下有助于降低散热设计复杂度。
　　另一个关键优势是其超快的开关速度。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间trr非常短，通常小于5ns。这一特性使其特别适合用于高频DC-DC转换器中，例如同步整流拓扑或Buck/Boost电路，可有效减少开关过程中的交叉导通损耗，并抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性。其额定工作结温可达+150°C，能够在恶劣环境温度下持续工作，适用于车载电子或工业级应用场合。SOD-123FL封装具有较小的外形尺寸（典型为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm），有利于节省PCB空间，同时优化了引线布局以减小寄生电感，进一步提升高频性能。
　　RALD5W-K通过严格的品质管控流程生产，符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求（视具体批次而定），并满足无卤素和绿色产品规范。其低漏电流设计（IR ≤ 0.1mA @ 20V）确保在待机或轻载状态下不会造成明显的静态功耗增加，提升了待机效率。总体而言，RALD5W-K是一款兼顾高效、紧凑与可靠性的先进功率肖特基二极管，适用于现代高能效电源管理方案。

应用

RALD5W-K广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电源管理系统中。典型应用包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC降压或升压转换器，作为输出整流二极管使用，帮助实现高转换效率和小体积设计。在这些设备中，由于电池电压较低（如3.7V锂离子电池），采用低VF的肖特基二极管可以最大限度地减少能量损失，提高续航能力。
　　该器件也常见于笔记本电脑主板、USB PD充电模块、电源适配器及LED驱动电源等设备中的次级侧整流环节。特别是在非同步Buck转换器中，RALD5W-K用于续流路径，承担电感电流的循环任务，在开关管关断期间提供低阻抗通路，防止电压反冲损坏主控芯片。
　　此外，它还可用于反向极性保护电路，连接在电源输入端以防止因接反而导致后级电路损坏。由于其仅20V的反向耐压，适合用于5V、12V等低压系统中。在通信设备、智能家居控制板、传感器模块和嵌入式系统中，RALD5W-K因其小型化封装和高可靠性，成为理想的防倒灌和整流选择。
　　工业自动化设备中的分布式电源架构（Distributed Power Architecture）也常采用此类器件进行局部稳压模块的整流处理。由于其快速响应能力和良好的瞬态表现，即使在负载突变情况下也能维持稳定输出。总而言之，RALD5W-K凭借其高效的电气性能和紧凑的物理尺寸，已成为现代低压大电流电源设计中不可或缺的关键组件。