时间：2025/6/20 22:10:05
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SUP50N03-5M1P-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由SUNPOWER生产。该器件主要用于开关和功率管理应用，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点。其设计适用于各种消费电子、工业控制及汽车电子系统。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
功耗(Ptot)：280W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装类型：TO-247
SUP50N03-5M1P-GE3具有低导通电阻和快速开关性能，这使得它非常适合在高频开关应用中使用。其出色的热性能允许更高的功率密度和更小的散热设计需求。
该器件还具备较低的输入电容(Ciss)，有助于减少开关损耗并提高整体效率。
此外，该MOSFET能够承受较高的瞬态电压和电流峰值，确保了在严苛工作条件下的可靠性。
由于其高电流承载能力和宽温度范围，这款MOSFET可广泛应用于各类功率转换场景，包括但不限于DC-DC转换器、电机驱动和电源适配器等。
SUP50N03-5M1P-GE3适用于多种功率转换和控制应用领域，如直流无刷电机驱动、开关电源(SMPS)、逆变器以及不间断电源(UPS)系统。
此外，它也常用于工业自动化设备中的功率管理模块，例如伺服控制器和PLC外围电路。在汽车电子方面，可以用来实现车载充电器或电动车窗控制等功能模块。
SUP50N03L, IRF540N, FDP5020N
