时间：2025/8/6 10:53:52
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IXFT60N50P3是一款由IXYS公司生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关电路和电源管理系统。这款MOSFET采用先进的平面技术，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：0.135Ω
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IXFT60N50P3的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率；高耐压能力使其适合用于高压应用，如电源转换器和电机驱动器。
此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下正常工作，从而延长设备的使用寿命。
封装设计优化了散热性能，使得在高电流应用中可以更有效地管理热量。
该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。
IXFT60N50P3常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、太阳能逆变器、UPS系统以及工业自动化设备等需要高功率处理能力的场合。
IRF640N, STP60NF50, FDP60N50
