时间：2025/6/16 12:15:38
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TZC3Z060AA01R00 是一款高性能的 SiC（碳化硅）MOSFET 功率器件，专为高电压、高频开关应用而设计。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高电源转换效率并减少系统损耗。它通常应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等领域。
作为碳化硅技术的一部分，TZC3Z060AA01R00 具备比传统硅基 MOSFET 更优越的性能表现，能够在高温条件下稳定工作，并支持更高的工作频率，从而减小了无源元件的尺寸和整体系统的体积。
额定电压：650V
额定电流：40A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：75nC
反向恢复时间：80ns
最大结温：175℃
1. 采用先进的碳化硅（SiC）材料制造，具备优异的耐压特性和热性能。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频操作环境。
4. 高温稳定性好，能在高达 175℃ 的结温下正常运行。
5. 内置反向二极管，优化了续流能力，简化了电路设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 工业级开关电源（SMPS）
2. 太阳能光伏逆变器
3. 电动汽车车载充电器（OBC）
4. 不间断电源（UPS）系统
5. 电机驱动与控制
6. DC-DC 转换器
7. 高效能源管理系统
