时间：2025/5/20 22:27:21
阅读：4
1808N181G202CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，广泛应用于高频、高效功率转换场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源、DC-DC 转换器以及无线充电等应用领域。
这款芯片的主要特点是能够在高频条件下保持高效的功率转换能力，同时减少系统尺寸和重量。其封装形式通常为表面贴装器件 (SMD)，便于自动化生产和安装。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：90nC
反向恢复时间：40ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1808N181G202CT 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压和低导通电阻，适合高效率功率转换应用。
2. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小无源元件的体积。
3. 内置保护功能，例如过流保护和短路保护，提高了系统的可靠性。
4. 封装采用紧凑型设计，能够有效降低寄生电感对性能的影响。
5. 支持宽禁带半导体技术，具备优异的热稳定性和可靠性。
1808N181G202CT 的典型应用包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主功率开关。
2. 太阳能逆变器中的功率级开关。
3. 电动汽车 (EV) 充电器和车载充电器中的高频功率转换。
4. 数据中心电源和工业电机驱动中的高效功率模块。
5. 无线充电设备中的功率传输控制。
此外，它还可以用于其他需要高效功率转换和高频运行的场景。
1808N181G102CT, 1808N181G302CT
