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SUP18N15-95 发布时间 时间:2025/6/29 10:39:44 查看 阅读:3

SUP18N15-95是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高性能开关应用设计。该器件采用TO-220封装,具备低导通电阻和快速开关能力,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
  SUP18N15-95以其出色的电气性能和可靠性著称,能够在较高的电压环境下稳定工作,同时保持较低的功耗。其典型应用场景包括开关电源、逆变器以及各类工业控制设备等。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:18A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):0.13Ω
  总功耗:140W
  结温范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

SUP18N15-95具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频工作场景。
  3. 较高的雪崩击穿能量,提升了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 具备优秀的热性能,能够有效散热以确保长时间稳定运行。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应多种环境需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  SUP18N15-95的设计使其非常适合需要高效率和高可靠性的电力电子应用。

应用

SUP18N15-95的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  4. 太阳能逆变器及其他可再生能源转换设备。
  5. 各类工业自动化控制系统中的负载切换。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护和开关功能。
  由于其出色的电气性能和可靠性,SUP18N15-95成为众多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N15
  STP18NF15

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SUP18N15-95参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压150 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流18 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)95 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB-3
  • 封装Tube
  • 下降时间30 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散88 W
  • 上升时间35 ns
  • 工厂包装数量100
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间17 ns