AS1359-BTTT-33 是一款基于砷化镓(GaAs)技术的高性能开关二极管,广泛应用于射频和微波电路中。该器件具有低电容、快速开关速度和高线性度等特性,适用于高频通信系统中的信号切换、调制解调以及混频等功能。
这款二极管的设计使得其在高频条件下表现优异,并且能够满足现代无线通信设备对低插入损耗和高隔离度的需求。
类型:开关二极管
材料:砷化镓 (GaAs)
正向电压 (Vf):0.7V
反向恢复时间 (trr):25皮秒
最大反向工作电压 (Vr):33V
结电容 (Cj):0.15pF
工作频率范围:DC 至 40GHz
封装形式:SOT-363
AS1359-BTTT-33 的主要特性包括:
1. 极低的结电容 (0.15pF),能够在高频环境下保持高效性能。
2. 超快的反向恢复时间 (25皮秒),确保了高速开关能力。
3. 稳定的电气特性和宽泛的工作频率范围 (DC 至 40GHz),使其非常适合高频应用。
4. 高线性度和低插入损耗,减少了信号失真并提高了传输效率。
5. 小型化的 SOT-363 封装设计,有助于节省电路板空间并简化布局设计。
AS1359-BTTT-33 可广泛应用于以下领域:
1. 射频和微波开关电路,例如在雷达、卫星通信和无线基础设施中。
2. 混频器和倍频器设计,用于实现频率转换功能。
3. 高速数字通信系统的信号路由与控制。
4. 测试测量设备中的高频信号处理。
5. 医疗成像设备和其他需要高频信号处理的精密仪器。
AS1359-BTTP-33
AS1359-BTTR-33
HSMS-2822