时间：2025/5/28 21:40:16
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MA26V11001TD是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为TO-220，便于散热设计和电路布局。
MA26V11001TD属于N沟道增强型MOSFET，能够在高频和大电流环境下提供高效的功率转换，同时具备良好的耐受电压能力，适用于多种工业和消费电子场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
输入电容(Ciss)：1400pF
开关时间：开启时间(t_on)=25ns，关闭时间(t_off)=35ns
功耗(PD)：140W（在壳温Tc=25℃时）
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
MA26V11001TD具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境，减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力，能够满足大功率应用需求。
4. 良好的热稳定性，确保器件在高温条件下依然保持可靠运行。
5. TO-220标准封装，易于集成到各种电路设计中，并支持高效的散热管理。
6. 高耐压能力，能够承受高达100V的漏源电压，增强了器件的鲁棒性。
7. 优异的静电防护能力，降低了因ESD损坏的风险。
这些特性使MA26V11001TD成为高效功率转换应用的理想选择。
MA26V11001TD广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器和变频器中的开关组件。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 消费电子产品中的快速充电解决方案。
6. 照明系统的LED驱动器。
7. 其他需要高性能功率切换的应用场景。
由于其出色的电气特性和可靠性，MA26V11001TD在众多行业中得到了广泛应用。
MA26V11002TD, IRFZ44N, FDP5580
