时间：2025/6/29 12:39:45
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IPD135N03L 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其封装形式为 TO-Leadless（TOLL），这种封装能够有效提高热性能并减少寄生电感。
IPD135N03L 的最大额定电压为 30V，并且能够在高频率下保持高效的开关特性，是现代高效能电力电子设计的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：178A
导通电阻（Rds(on)）：1.35mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：62nC（典型值）
反向恢复时间：49ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless（TOLL）
IPD135N03L 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，使其在大电流应用中能够显著降低功耗。
2. 高电流承载能力，适合要求高功率密度的设计。
3. 快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于提高效率并降低开关损耗。
4. 热性能优越的 TOLL 封装，可实现更小的 PCB 占用面积和更好的散热效果。
5. 宽广的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠性。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
IPD135N03L 广泛应用于需要高效能和高电流处理能力的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 中的牵引逆变器及辅助系统。
3. 工业电机控制和驱动电路。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源转换设备。
5. 电信基础设施中的高效电源管理模块。
6. 各种电池管理系统 (BMS) 和负载切换应用。
IPD130N03L,
BSC012N04LS_G,
IRLB8729TRPBF
