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SUM75N06-09L-E3 发布时间 时间:2025/5/27 9:16:23 查看 阅读:15

SUM75N06-09L-E3是一款由Semiconductor Manufacturer生产的高性能MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理和功率转换应用中。其封装形式为SOT-23,能够提供优异的散热性能和紧凑的设计,非常适合对空间有严格要求的应用场景。
  该器件广泛应用于消费电子、工业设备以及通信设备领域,特别是在需要高效能和小体积解决方案的情况下。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻:140mΩ
  栅极电荷:3nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23

特性

SUM75N06-09L-E3的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,该器件的快速开关速度使得它在高频应用中表现出色,例如开关电源和DC-DC转换器。其小型化的SOT-23封装不仅节省了PCB空间,还提供了良好的热稳定性。另外,由于其具备宽泛的工作温度范围,因此能够在恶劣环境下稳定运行,确保长期可靠性。
  这款功率MOSFET还具有出色的静电放电(ESD)保护能力和抗浪涌能力,从而提高了系统的鲁棒性。总体而言,SUM75N06-09L-E3凭借其卓越的电气性能和紧凑设计,成为众多功率管理应用的理想选择。

应用

SUM75N06-09L-E3适用于多种应用场景,主要包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):作为功率级开关元件,提供高效的电力转换。
  2. DC-DC转换器:用于降压或升压拓扑中的主开关管。
  3. 电池管理系统(BMS):实现电池充放电路径控制及保护功能。
  4. 消费类电子产品:如智能手机充电器、平板电脑适配器等产品中的功率调节部件。
  5. 工业自动化设备:电机驱动、照明控制以及其他涉及功率处理的场合。
  6. 通信设施:基站供电单元、网络路由器电源模块等领域。

替代型号

SUM75N06-09L-E2, SUM75N06-09L-E4

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SUM75N06-09L-E3参数

  • 数据列表SUM75N06-09L
  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263(D2Pak)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SUM75N06-09L-E3TR