时间：2025/8/6 12:42:34
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IXFN210N20P是一款由Littelfuse公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高电流能力和低导通电阻的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。其封装形式为TO-247，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：210A
漏极-源极电压（VDS）：200V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
IXFN210N20P的主要特性包括低导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗；高耐压能力，使其适用于高压电路；以及良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠运行。
此外，该器件采用了先进的平面技术，提供了更高的效率和更长的使用寿命。其高电流能力和低导通电阻特性使其在电源转换、电机控制和电池管理系统中表现出色。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，增强了其在苛刻环境中的适用性。
IXFN210N20P广泛应用于电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。
IXFN210N20P的替代型号包括IXFN210N20T和IXFN210N20A，这些型号在性能参数和封装形式上相似，可以作为替代选择。
