型号：SPT44L-115MLC
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装类型：MicroFET (1.6mm x 1.6mm)
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.4A（@VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-14A
　　导通电阻(RDS(on))：27mΩ（@VGS = -4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：33mΩ（@VGS = -2.5V）
　　栅极电荷(Qg)：8nC（@VGS = -4.5V）
　　输入电容(Ciss)：420pF（@VDS = -10V）
　　阈值电压(VGS(th))：-1.0V ~ -1.6V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(RθJA)：150°C/W
　　热阻结到外壳(RθJC)：45°C/W

SPT44L-115MLC采用Vishay先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持了较小的芯片尺寸，从而在有限的PCB面积下实现了更高的电流承载能力和更低的功率损耗。该器件在VGS = -4.5V时的典型RDS(on)仅为27mΩ，在VGS = -2.5V时为33mΩ，表明其在低电压驱动条件下仍能保持优异的导通性能，适用于由3.3V或更低电压逻辑信号直接控制的应用场景。其低栅极电荷（Qg = 8nC）和输入电容（Ciss = 420pF）使其具备快速的开关响应能力，减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统效率，尤其适合高频开关电源和同步整流等应用。
　　该MOSFET的阈值电压范围为-1.0V至-1.6V，确保了器件在较低的负向栅极电压下即可开启，进一步增强了其在低功耗系统中的适用性。其最大连续漏极电流可达-4.4A，脉冲电流高达-14A，展现出强大的瞬态负载处理能力。MicroFET封装不仅提供了极小的占板面积（1.6mm × 1.6mm），还通过优化的引线布局降低了寄生电感和电阻，提升了高频性能和热稳定性。器件的工作结温范围达到-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业和消费类环境。此外，该器件具有良好的抗静电放电（ESD）能力，HBM模型下可达±2000V，增强了在装配和运行过程中的可靠性。所有这些特性使得SPT44L-115MLC成为高性能、小型化电源管理系统中的理想选择。

SPT44L-115MLC广泛用于需要高效、小尺寸P沟道MOSFET的各种电源管理电路中。常见应用包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中的电池供电切换、外设电源控制等。由于其支持逻辑电平驱动，能够直接由微控制器或GPIO引脚控制，因此常被用于实现简单的ON/OFF电源控制功能，避免使用额外的驱动电路，从而节省成本和空间。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流拓扑或作为高端开关元件，尤其是在降压（Buck）变换器中替代传统的二极管以提高转换效率。其低RDS(on)和快速开关特性有助于减少传导损耗和开关损耗，提升整体电源效率。此外，它也适用于热插拔电路、电机驱动控制、LED背光驱动以及各类电池供电的物联网设备和可穿戴产品。
　　在工业控制领域，SPT44L-115MLC可用于低电压电源模块、隔离式电源开关和继电器替代方案，提供更可靠和高效的固态开关解决方案。其小型封装特别适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对微型化和轻薄化的设计需求。同时，其宽泛的工作温度范围使其能够在户外设备、汽车电子外围电路和工业传感器等环境中稳定运行。

Si3443DV-T1-GE3
　　AO3415
　　FDMC7662