时间：2025/5/22 12:35:52
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SUM23N15-73-GE3 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，广泛应用于电源管理、电机驱动和消费电子等领域。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-220 封装形式，适合高功率和高效率的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：2.5mΩ
总功耗：180W
结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-220
SUM23N15-73-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频工作环境。
3. 强大的过流保护能力和热稳定性，确保长时间运行的安全性。
4. 支持高电流负载，适用于大功率应用场合。
5. 良好的静电防护性能，提高产品的可靠性。
该芯片的主要应用场景包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 消费电子产品中的负载开关。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电保护电路。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
SUM23N15-73-G, IRFZ44N, FDP5500
