时间：2025/9/1 8:33:59
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IS42S16800E-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的16M x 8位（128Mbit）同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该芯片广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信设备、嵌入式系统以及其他需要高速存储的场合。IS42S16800E-6BLI 采用CMOS工艺制造，具有高性能和低功耗的特点，支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不连续访问时也能保持稳定。
容量：128Mbit
组织结构：16M x 8位
工作电压：2.3V - 3.6V
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
封装类型：54-TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：8位
刷新周期：64ms
突发长度：1, 2, 4, 8, 或全页
突发类型：顺序或交错
CAS延迟：2, 2.5, 3
封装尺寸：标准TSOP
IS42S16800E-6BLI 具有多个显著的技术特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该芯片支持高速时钟频率达166MHz，允许在每个时钟周期内进行一次数据访问，从而实现高达166MHz的数据传输速率。此外，该SDRAM支持自动刷新和自刷新功能，确保在系统空闲时降低功耗并保持数据完整性。
其工作电压范围为2.3V至3.6V，这使得IS42S16800E-6BLI可以在多种电源条件下稳定工作，适应不同的系统设计需求。芯片内置的同步控制逻辑使得外部控制器可以更容易地进行时序管理，从而简化了系统设计并提高了整体性能。
IS42S16800E-6BLI支持多种突发长度模式（1、2、4、8或全页），允许用户根据具体应用需求优化数据访问效率。同时，它支持顺序和交错两种突发类型，增加了灵活性和兼容性。CAS延迟可配置为2、2.5或3，使系统设计者可以根据系统时钟频率进行优化设置。
该芯片采用54引脚TSOP封装形式，符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业和通信领域的严苛环境。此外，其64ms的刷新周期确保了数据的长期稳定性，即使在高温或低温环境下也能保持可靠运行。
IS42S16800E-6BLI 适用于多种高性能、低功耗的存储应用场合。典型应用包括路由器、交换机等网络设备中的高速缓存，嵌入式系统中的主存储器，视频处理设备中的帧缓存，以及工业自动化控制系统中的实时数据存储。此外，该芯片也常用于通信设备如基站、网关等对存储容量和速度有较高要求的系统中。由于其宽电压范围和工业级温度特性，IS42S16800E-6BLI也适用于恶劣环境下的军事、航空航天和车载电子系统。
IS42S16800F-6BLI, IS42S16800G-6BLI, CY7C1380B-5BZC, MT48LC16M16A2B4-6A
