时间：2025/6/21 21:20:13
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SUM110N04-2M1P 是一款基于硅技术的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高频开关和低导通损耗的应用场景。它采用了先进的封装技术，确保了高效的散热性能以及良好的电气特性。该器件通常用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能和低功耗的电路设计中。
这款 MOSFET 的最大特点是其超低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流应用下保持较低的功率损耗。此外，它的快速开关特性和高雪崩能力使其非常适合严苛的工作环境。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.1mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=8ns, toff=16ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SUM110N04-2M1P 提供了卓越的性能表现：
1. 超低导通电阻 Rds(on) 确保在大电流应用中的高效率。
2. 高额定电流支持大功率应用。
3. 快速开关速度减少了开关损耗。
4. 高雪崩能力和坚固的设计提高了可靠性。
5. 小型化封装节省 PCB 空间并改善热管理。
6. 适合汽车级和工业级应用的宽工作温度范围。
这些特性使 SUM110N04-2M1P 成为高效电源转换和电机控制的理想选择。
此款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. DC/DC 转换器和降压升压模块。
2. 电动车和混合动力车的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 不间断电源 (UPS) 和电池管理系统。
6. LED 驱动和高效照明解决方案。
由于其高性能和可靠性，SUM110N04-2M1P 在现代电子设备中得到了广泛应用。
SUM120N04-2M2P, IRF3710, FDP16N04L
