MDD1752RHM 时间：2025/8/7 6:02:24 阅读：15

MDD1752RHM 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的双极型功率晶体管（BJT），属于高频高功率 NPN 晶体管系列。该器件专为高功率射频（RF）放大应用而设计，适用于通信、雷达、广播发射器以及工业加热设备等高功率电子系统。MDD1752RHM 采用高耐用性封装，具备良好的热管理和高耐压特性，能够在高温和高功率环境下稳定工作。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：15 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：250 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：300 V
　　最大功耗（Ptot）：300 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装形式：TO-247
　　增益（hFE）：典型值 30
　　频率特性：适用于高达 175 MHz 的高频应用

特性

MDD1752RHM 以其卓越的功率处理能力和高频性能著称，是一款专为高功率射频放大器设计的晶体管。其 NPN 结构允许高效的电流放大，适用于推挽式和A类放大器配置。该晶体管的最大集电极电流可达15 A，集电极-发射极电压额定为250 V，具备出色的耐压能力，适合高电压应用。此外，该器件的封装采用TO-247标准封装，具备良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能维持稳定运行。
　　在热管理方面，MDD1752RHM 设计有高效的散热路径，能够在高功率密度下保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。其工作温度范围宽达-65°C至+200°C，适应各种严苛环境条件下的运行需求。同时，该晶体管的增益（hFE）典型值为30，在高频段仍能保持良好的放大性能，适用于广播、通信和工业射频加热等应用。
　　值得注意的是，MDD1752RHM 的最大功耗为300 W，使其成为中高功率放大器设计中的理想选择。该器件广泛应用于HF（高频）和VHF（甚高频）频段的射频放大电路中，适用于多种高功率电子系统。

应用

MDD1752RHM 主要用于需要高功率放大的射频电子系统中，例如广播发射器、通信基站、雷达系统、射频加热设备以及工业测试仪器等。其高频特性使其适用于HF（高频）和VHF（甚高频）频段的放大电路，尤其适合推挽式放大器和A类放大器的设计。此外，该晶体管也可用于功率调节电路、脉冲放大器以及高功率开关电路中，适用于航空航天、国防、工业自动化等多个领域。