时间：2025/6/24 3:40:41
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JSM024N是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高电流容量和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
这款MOSFET适用于各种需要高效功率转换的应用场景，并且其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：ton=11ns, toff=25ns
结温范围：-55℃至+175℃
JSM024N具有极低的导通电阻，仅为1.8mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，同时减少了功率损耗。
其高电流处理能力（24A）确保了即使在严苛的工作条件下也能保持稳定运行。
此外，快速的开关速度（开启时间11ns，关闭时间25ns）降低了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
该器件还具备出色的热性能，能够在较宽的温度范围内工作（-55℃至+175℃），适合各种工业及汽车环境。
JSM024N主要应用于DC-DC转换器、同步整流电路、电机控制、负载开关以及电池保护等场景。
在消费电子领域，它可以用于笔记本电脑适配器、智能手机快充模块和LED驱动器。
工业应用方面，该器件常被用作伺服电机驱动器中的功率开关元件。
同时，在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动车充电桩中，JSM024N也发挥着重要作用。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP17N10
