类型：高压MOSFET模块
　　额定电压：1200V
　　额定电流：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.45Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值 65nC
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　绝缘耐压：2500Vrms

HVM12 LRC具备多项高性能特性，首先其沟槽型MOSFET结构显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该模块具有较高的耐压能力，最大漏源电压（Vds）可达1200V，适用于高电压工作环境。
　　此外，HVM12 LRC在设计上优化了热阻特性，使其在高负载条件下仍能保持良好的散热性能，从而提高了器件的稳定性和使用寿命。该模块还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高开关频率，适用于高频电源转换应用。
　　在封装方面，HVM12 LRC采用了TO-247标准封装，具备良好的绝缘能力和机械强度，适合工业级应用。该模块还具有较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。

HVM12 LRC广泛应用于各种高电压、高功率电子系统中，例如工业电源、电机控制与驱动、变频器、不间断电源（UPS）、逆变器以及太阳能光伏逆变系统等。其优异的电气性能和可靠性使其成为工业自动化、新能源发电和电动汽车充电设备等领域的理想选择。
　　在电机控制应用中，HVM12 LRC可用于构建高效的三相逆变桥，实现对交流电机的精确控制；在太阳能逆变系统中，该模块可用于DC-AC转换电路，将光伏板输出的直流电转换为交流电并入电网；在电源适配器和开关电源中，HVM12 LRC可作为主功率开关器件，提供高效率和高稳定性的电力转换能力。

HVM12 LRC的替代型号包括：IXFN12N120、STF12N120、IXYS的DSI12N120A和Infineon的SPW47N60C3等。